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数量:7489 |
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| 规格书 |
 BCW67, BCW68 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 800mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 32V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 250 @ 100mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 330mW |
| 频率转换 | 200MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 800mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 32V |
| 供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 330mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 250 @ 100mA, 1V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 2 V |
| 最大功率耗散 | 330 mW |
| 系列 | BCW67 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 80 at 100 uA at 10 V, 180 at 10 mA at 1 V, 250 at 100 mA at 1 V, 100 at 500 mA at 2 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.8 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 32 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 零件号别名 | BCW67CE6327HTSA1 SP000015037 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.8 A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 长度 | 2.9 mm |
| 身高 | 1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 330 mW |
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